时间：2025/8/23 10:52:25
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SKT491/08E 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理、电机控制、DC-DC 转换器以及各种高功率开关应用。该器件采用高性能的 STripFET F7 技术，具备低导通电阻、高耐压和良好的热性能，适用于工业、汽车和消费类电子设备。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：80V
漏极电流（Id）@25°C：160A
导通电阻（Rds(on)）：最大 2.8mΩ @ Vgs=10V
栅极电压（Vgs）：±20V
功耗（Ptot）：320W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-247AC
SKT491/08E 的核心优势在于其极低的导通电阻（Rds(on)），仅为 2.8mΩ，这显著降低了导通损耗，提高了电源转换效率。其采用 STMicroelectronics 的先进 STripFET F7 技术，具有优异的热稳定性和电流承载能力，能够在高负载条件下保持稳定运行。
该 MOSFET 具有高达 80V 的漏源电压额定值，能够满足中高压应用的需求，同时具备较强的抗雪崩能力，提高了系统可靠性。其最大漏极电流可达 160A，在高温环境下也能保持良好的性能表现。
封装方面，SKT491/08E 采用 TO-247AC 封装，具备良好的散热能力和机械稳定性，适用于高功率密度设计。该封装支持快速安装散热片，有助于提高热管理效率。
此外，该器件的栅极驱动电压范围为 4.5V 至 10V，兼容多种常见的驱动器 IC，方便设计和集成。其快速开关特性有助于减少开关损耗，提高整体系统效率，适用于高频开关应用如 DC-DC 转换器、同步整流器等。
SKT491/08E 主要应用于高功率电源管理系统，包括但不限于：服务器电源、电信设备电源、太阳能逆变器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、电动汽车充电模块以及工业自动化控制系统等。其高电流能力和低导通电阻使其成为高性能 DC-DC 转换器和同步整流电路的理想选择。在汽车电子领域，该器件可用于车载充电器、48V 轻混系统以及电机控制模块等关键部件。
STB160N8F7AG, STP160N8F7AG, IPB160N8F7AG
