类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（Id）：40A
　　漏-源极击穿电压（Vds）：400V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值为0.045Ω
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：TO-247
　　功率耗散（Ptot）：150W

SKT40/04C MOSFET器件具有多项优异的电气和热性能，适用于高功率密度和高效率的电力电子系统设计。其主要特性包括：低导通电阻（Rds(on)）使得在导通状态下功率损耗较低，从而提高了整体系统的效率；高击穿电压（Vds = 400V）使其适用于中高电压应用场景，如DC-AC逆变器、电源转换器等；封装形式为TO-247，具有良好的散热能力，能够承受较大的工作电流和热应力；该器件的栅极驱动电压范围为±20V，兼容主流的驱动电路设计，便于集成到各种功率电路中；此外，SKT40/04C具备较高的开关速度，适合用于高频开关应用，从而减小外围滤波电路的体积和重量，提高系统的动态响应能力。该器件还具备较强的短路耐受能力，在突发短路故障时具有一定的鲁棒性，提高了系统的可靠性。由于其优异的电气和机械特性，SKT40/04C广泛应用于工业控制、电力电子变换器、电机驱动器、UPS系统、开关电源（SMPS）等高功率应用领域。

SKT40/04C 主要应用于需要高电压、大电流开关能力的电子系统中。典型应用包括开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、电机驱动器、逆变器、电焊机、工业自动化控制系统、照明镇流器以及功率因数校正（PFC）电路等。在这些应用中，SKT40/04C能够提供高效的功率转换和稳定的性能，尤其适合需要高效率和高可靠性的工业级应用场景。其低导通电阻和高耐压特性使其成为中高功率电源转换器中的理想选择。

STP40NF40, IRF460, FDPF400N40