类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：100V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：140A（在25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：最大5.3毫欧（在10V Vgs）
　　功耗（Pd）：200W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：TO-247
　　技术：沟槽栅极MOSFET

SKT140F10DV的主要特性包括其低导通电阻，这使得它在高电流应用中具有较低的功率损耗，提高了系统的整体效率。其先进的沟槽栅极设计不仅降低了Rds(on)，还提高了器件的热稳定性。此外，该MOSFET具有高耐压能力和优异的短路耐受性，使其在苛刻的工作条件下仍能保持可靠运行。
　　该器件的封装设计优化了散热性能，TO-247封装具有良好的热导性，有助于将热量快速散发到散热器或环境中，确保器件在高负载情况下仍能稳定工作。此外，SKT140F10DV还具有良好的栅极驱动兼容性，可与标准逻辑电路配合使用，便于集成到各种功率电子系统中。
　　SKT140F10DV的设计也注重了可靠性和耐用性，能够在高温环境下长期工作而不会显著降低性能。这种高可靠性使其成为工业级应用的理想选择，尤其是在需要高效率和高稳定性的电源管理系统中。

SKT140F10DV广泛应用于各种高功率电子设备中，如DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器、电池管理系统（BMS）以及不间断电源（UPS）系统。在这些应用中，该MOSFET的低导通电阻和高电流处理能力使其成为实现高效功率转换的关键组件。此外，该器件也常用于新能源系统，如太阳能逆变器和电动汽车充电系统，以提高能量转换效率并减少热损耗。
　　在工业自动化领域，SKT140F10DV可用于控制大功率电机或电磁负载，提供快速开关和稳定的电流控制能力。由于其优异的热管理和短路保护特性，该MOSFET在工业环境中的可靠性和寿命也得到了广泛认可。

TK140E10D,SIE140N10,NTE239