类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：140A
　　最大漏-源电压（VDS）：60V
　　最大栅-源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：约2.5mΩ（典型值）
　　功率耗散（PD）：300W（最大）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-247或类似大功率封装

SKT140F06DT具有多项优异的电气和热性能，适用于高功率密度和高效率的应用场景。其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，从而提高了整体系统效率。此外，该MOSFET的高电流承载能力（140A）使其非常适合用于大功率负载的控制，如电机驱动和直流电源转换。
　　该器件具备较高的热稳定性，能够在恶劣的环境条件下稳定工作，工作温度范围宽达-55°C至+175°C，适合工业级和汽车电子应用。封装形式通常为TO-247或其他类似的大功率封装，以提供良好的散热性能和机械稳定性。
　　SKT140F06DT的栅极驱动特性优化，使其在高频开关应用中表现良好，适用于DC-DC转换器、逆变器和电机控制等场景。其±20V的栅-源电压容限也提高了器件在复杂驱动条件下的可靠性，减少了栅极击穿的风险。
　　综上所述，SKT140F06DT是一款高性能的功率MOSFET，适用于各种高功率、高效率的电子系统设计。

SKT140F06DT广泛应用于需要高功率密度和高可靠性的电子系统中。典型应用包括电源转换器（如DC-DC转换器、AC-DC电源模块）、电机驱动系统、UPS（不间断电源）、工业自动化设备以及电动汽车中的电力电子系统。该MOSFET也可用于电池管理系统、太阳能逆变器和高频开关电源等领域。其高电流和低导通电阻特性使其在需要高效率和低损耗的功率控制场合中表现优异。

IRF1405, SiR140DP, IPW90R120C3, IXFH140N60B3