类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：1200V
　　最大漏极电流(Id)：12A（在25°C时）
　　导通电阻(Rds(on))：典型值为0.38Ω（最大值0.45Ω）
　　栅极阈值电压(Vgs(th))：通常在4.5V至5V之间
　　最大栅极电压(Vgs)：±20V
　　最大功耗(Pd)：125W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-247

SKT12F12DR具备多项优良的电气和热特性。首先，其高耐压能力（1200V）使其非常适合用于高压电源系统和工业逆变器等场合。其次，低导通电阻确保了在高电流条件下功耗最小化，从而提高了系统效率并降低了散热需求。此外，该器件具有快速开关能力，有助于减少开关损耗，提高整体系统性能。采用TO-247封装形式，该MOSFET具有良好的散热性能和机械稳定性，适合在高可靠性要求的应用中使用。该器件还具备较高的抗雪崩能力和短路耐受性，增强了其在恶劣工作环境中的稳定性与可靠性。
　　SKT12F12DR还采用了东芝专有的U-MOS技术，进一步优化了载流能力和热管理能力。这种技术使得该器件在高频应用中表现出色，适用于开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、工业电机驱动和太阳能逆变器等多种应用领域。此外，该器件的栅极驱动要求较低，可以与标准驱动电路兼容，从而简化了设计并降低了整体系统成本。

SKT12F12DR广泛应用于各种高功率电子设备中，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器、不间断电源（UPS）和太阳能逆变器等。其高耐压和低导通电阻特性使其成为工业自动化设备、电动汽车充电系统以及家用电器中的关键组件。此外，该MOSFET也常用于高频功率转换器，以满足现代电子设备对高效能和小型化的需求。

TK12A60D, TK11A60D, IRFGB40N120KD