时间：2025/8/22 22:56:38
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SKT12F08DR 是一款由东芝（Toshiba）生产的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）功率器件，属于N沟道增强型MOSFET。该器件广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及各类功率控制电路中。该封装形式为TO-252（DPAK），具有良好的热稳定性和电流承载能力，适合中高功率应用场合。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：80V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：12A
功耗（Pd）：2.5W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
导通电阻（Rds(on)）：约8.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
封装形式：TO-252（DPAK）
SKT12F08DR具备低导通电阻特性，使其在高电流工作条件下具有较低的功率损耗，提高系统效率。
该器件采用了先进的沟槽式MOSFET工艺，提供更高的开关速度和更低的开关损耗，适用于高频开关应用。
其TO-252封装形式具有良好的散热性能，能够在较恶劣的环境下稳定运行。
此外，SKT12F08DR具备较高的雪崩能量承受能力，增强了在突变负载条件下的可靠性。
器件的栅极氧化层设计优化，提高了栅极电压的稳定性，使其适用于多种栅极驱动电路结构。
适用于工业电源、电池管理系统、DC-AC逆变器、负载开关等应用场合。
SKT12F08DR常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动电路、负载开关、电池充电器、LED驱动电源以及工业控制设备中。
由于其高电流能力和低导通电阻，特别适合用于同步整流和功率MOSFET并联应用。
也广泛应用于汽车电子系统，如车载充电器、起停系统和电动助力转向系统等。
同时，该器件也适用于需要高可靠性和高效能的消费类电子产品，如高性能电源适配器和UPS不间断电源系统。
TK12A08D, IRFZ48N, FDP12N08A, FDS4410A, SK30BLI08
