时间：2025/8/22 21:14:12
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SKT110F12DTH1是一款由东芝（Toshiba）生产的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）功率模块，专为高功率和高可靠性应用设计。这款模块采用双管封装（Dual IGBT）设计，适用于需要高效能和高耐用性的工业和能源转换设备。
类型：IGBT模块
额定电压：1200V
额定电流：110A
结构：双管（Dual IGBT）
导通压降：约1.5V（典型值）
工作温度范围：-40°C至+150°C
封装类型：TO-247
热阻：约0.45°C/W（典型值）
短路耐受能力：6μs（最大）
SKT110F12DTH1具有高电流承载能力和低导通压降，使其在高功率应用中表现出色。其双管设计允许在半桥配置中使用，简化了电路设计并提高了整体效率。该模块的热性能优越，能够在高温环境下稳定运行，并具备良好的短路保护能力，确保系统在异常条件下不会轻易损坏。
该IGBT模块采用了先进的硅芯片技术和优化的封装设计，提高了模块的可靠性和耐用性。此外，SKT110F12DTH1的封装材料具有良好的绝缘性能和机械强度，能够在高电压和高电流条件下保持稳定工作，同时减少电磁干扰（EMI）。
该模块还具有较低的开关损耗，有助于提高整体系统效率并减少发热。其快速开关特性适用于高频开关应用，如逆变器、变频器和电源转换系统。SKT110F12DTH1的引脚布局设计合理，便于安装和散热管理，适用于各种高功率工业设备。
SKT110F12DTH1广泛应用于工业电机驱动、逆变器、UPS（不间断电源）、太阳能逆变器、电焊机、电动汽车充电系统以及各种功率转换设备。由于其高可靠性和优异的电气性能，该模块特别适合用于需要高效率和高稳定性的场合，如工业自动化设备和可再生能源系统中的功率控制单元。
SKM100GB12T4, IKW75N120CH3, FF150R12KS4P
