SKT110F12DTH1是一款由东芝(Toshiba)生产的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)功率模块,专为高功率和高可靠性应用设计。这款模块采用双管封装(Dual IGBT)设计,适用于需要高效能和高耐用性的工业和能源转换设备。
类型:IGBT模块
额定电压:1200V
额定电流:110A
结构:双管(Dual IGBT)
导通压降:约1.5V(典型值)
工作温度范围:-40°C至+150°C
封装类型:TO-247
热阻:约0.45°C/W(典型值)
短路耐受能力:6μs(最大)
SKT110F12DTH1具有高电流承载能力和低导通压降,使其在高功率应用中表现出色。其双管设计允许在半桥配置中使用,简化了电路设计并提高了整体效率。该模块的热性能优越,能够在高温环境下稳定运行,并具备良好的短路保护能力,确保系统在异常条件下不会轻易损坏。
该IGBT模块采用了先进的硅芯片技术和优化的封装设计,提高了模块的可靠性和耐用性。此外,SKT110F12DTH1的封装材料具有良好的绝缘性能和机械强度,能够在高电压和高电流条件下保持稳定工作,同时减少电磁干扰(EMI)。
该模块还具有较低的开关损耗,有助于提高整体系统效率并减少发热。其快速开关特性适用于高频开关应用,如逆变器、变频器和电源转换系统。SKT110F12DTH1的引脚布局设计合理,便于安装和散热管理,适用于各种高功率工业设备。
SKT110F12DTH1广泛应用于工业电机驱动、逆变器、UPS(不间断电源)、太阳能逆变器、电焊机、电动汽车充电系统以及各种功率转换设备。由于其高可靠性和优异的电气性能,该模块特别适合用于需要高效率和高稳定性的场合,如工业自动化设备和可再生能源系统中的功率控制单元。
SKM100GB12T4, IKW75N120CH3, FF150R12KS4P