类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：100V
　　最大漏极电流（Id）：110A
　　导通电阻（Rds(on)）：约2.7mΩ（典型值）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2.0~4.0V
　　最大功耗（Pd）：250W
　　工作温度范围：-55°C~175°C
　　封装类型：TO-263（D2PAK）

SKT110F10DU 具备多项优异的电气和热性能，适用于高功率密度设计。
　　其核心优势之一是低导通电阻（Rds(on)）约为2.7mΩ，显著降低了导通损耗，提高了能效，适用于高电流应用场景。
　　该器件采用先进的沟槽式 MOS 技术，实现了更高的开关速度，从而降低了开关损耗，适用于高频开关电源和 DC-DC 转换器等应用。
　　TO-263 封装具备良好的散热性能，能够在高功率条件下保持稳定工作温度，延长器件寿命。
　　此外，SKT110F10DU 的最大漏极电流可达 110A，适用于高功率负载的控制，如电机驱动、逆变器和电源模块。
　　其栅极驱动电压范围较宽，可在 10V 栅极驱动电压下实现完全导通，兼容主流驱动电路设计。
　　该器件的高可靠性和耐久性使其适用于工业自动化、电动汽车、储能系统等对稳定性要求较高的应用环境。

SKT110F10DU 广泛应用于多个高功率电子系统中，主要包括：
　　在工业电源系统中，该 MOSFET 常用于 DC-DC 转换器、同步整流器和功率因数校正（PFC）电路，以提高电源转换效率并减小系统体积。
　　在电机控制和伺服驱动器中，SKT110F10DU 可用于高频 PWM 控制，提供高效的功率输出并减少热损耗。
　　在电动汽车和新能源系统中，该器件可用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制电路，确保高电流下的稳定运行。
　　此外，该 MOSFET 也广泛应用于 UPS（不间断电源）、逆变器以及太阳能逆变器等高功率开关电路中，支持高效的能量转换和稳定的系统运行。
　　由于其高耐压（100V）和高电流能力（110A），SKT110F10DU 还可用于高功率 LED 驱动器和工业自动化控制电路中。

SiR110N10DPbF, SQHF10N110CFD, IPW90R120P7, FDP110N10A, TK110E10U