类型：N沟道MOSFET
　　漏极-源极电压（Vds）：80V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：110A
　　功耗（Pd）：200W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　存储温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-220

SKT110F08DT MOSFET具备多项优异特性，使其在各种高功率应用中表现出色。
　　首先，它的导通电阻非常低，典型值为4.5毫欧，这有助于减少导通状态下的功率损耗，提高系统的整体效率。低导通电阻还意味着在相同电流条件下，MOSFET的温升更小，从而提高了器件的可靠性和寿命。
　　其次，该MOSFET的最大漏极-源极电压为80V，能够承受较高的电压应力，适用于中高压电源转换和电机控制应用。栅极-源极电压范围为±20V，确保了在各种工作条件下的稳定性和可靠性。
　　此外，SKT110F08DT 的连续漏极电流为110A，能够处理较大的负载电流，适合用于高功率密度的设计。其200W的功耗能力使得该器件在高负载条件下仍能保持良好的散热性能，避免过热损坏。
　　该MOSFET的工作温度范围从-55°C到150°C，适应了广泛的环境条件，确保在极端温度下的正常运行。存储温度范围同样为-55°C到150°C，保证了器件在运输和存储过程中的稳定性。
　　最后，SKT110F08DT 采用TO-220封装，这种封装形式具有良好的热管理和机械强度，便于安装和散热，适用于各种工业和汽车应用。

SKT110F08DT MOSFET主要应用于需要高效功率管理和高可靠性的电子系统中。在工业自动化领域，它常用于电机驱动器和变频器中，作为功率开关器件，实现对电机速度和扭矩的精确控制。在电源管理方面，该MOSFET广泛应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和UPS（不间断电源）系统中，以提高电源转换效率并减少能量损耗。
　　在汽车电子领域，SKT110F08DT 可用于车载充电器、电池管理系统（BMS）和电动车辆的电机控制器中，确保在恶劣环境下仍能提供稳定的性能。此外，它还可用于太阳能逆变器和储能系统，帮助实现高效的能量转换和管理。
　　由于其高可靠性和优异的电气性能，SKT110F08DT 也适用于消费类电子产品中的高功率应用，如大功率LED照明系统和家用电器中的电机控制模块。

IXT110N08T2, STP110N8F7AG