SKRPADE011 时间：2025/5/7 9:11:54 阅读：12

SKRPADE011是一款高性能的MOSFET功率晶体管，广泛应用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等领域。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度的特点，能够有效降低功耗并提高系统效率。
　　其封装形式通常为TO-220，适合散热要求较高的应用场合。此外，该器件还具备优异的热稳定性和可靠性，能够在严苛的工作环境下保持稳定的性能。

参数

最大漏源电压：60V
　　最大栅源电压：±20V
　　连续漏极电流：30A
　　导通电阻：1.5mΩ
　　总栅极电荷：45nC
　　开关时间：ton=8ns, toff=12ns

特性

1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗，提升整体效率。
　　2. 高击穿电压设计，确保在高压工作条件下的安全性和稳定性。
　　3. 快速开关特性，支持高频操作，满足现代电源系统对效率和小型化的需求。
　　4. 具备强大的浪涌电流能力，可应对瞬态负载变化。
　　5. 内置ESD保护功能，增强抗静电能力，提升器件可靠性。
　　6. 热稳定性出色，能在较宽的温度范围内正常工作，适用于工业和汽车领域。