SKRBAKE010是一种高性能的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等电力电子领域。该器件采用N沟道技术,具有低导通电阻和快速开关特性,可显著提高效率并降低能耗。其封装形式通常为TO-220,适合高电流和高电压应用场景。
最大漏源电压:600V
连续漏极电流:10A
导通电阻:0.18Ω
栅极阈值电压:4V
总功耗:150W
工作结温范围:-55℃至175℃
SKRBAKE010具备出色的电气性能和热性能。
1. 低导通电阻:能够有效减少导通损耗,从而提高整体效率。
2. 快速开关速度:支持高频操作,适合现代高效电源设计。
3. 高耐压能力:600V的额定电压使其适用于多种高压应用环境。
4. 良好的热稳定性:能够在极端温度范围内可靠运行,确保设备长期稳定工作。
5. 小型化封装:采用标准TO-220封装,便于安装和散热设计。
SKRBAKE010主要应用于需要高效功率转换的场景。
1. 开关电源:用于AC-DC或DC-DC转换器中,提供高效的电压调节功能。
2. 电机驱动:适用于各种类型的电机控制电路,包括步进电机和无刷直流电机。
3. 工业自动化:在工业控制设备中作为功率开关元件使用。
4. 汽车电子:可用于车载充电器、电池管理系统和其他汽车相关应用。
5. 可再生能源:例如太阳能逆变器中的功率转换部分。
IRFZ44N
STP10NK60Z
FDP18N60