SKR60F15 是一款由东芝(Toshiba)生产的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于功率半导体器件。该器件主要用于高效率电源转换系统,例如DC-DC转换器、电机驱动电路、电源管理系统以及各类开关电源应用。SKR60F15 是N沟道增强型MOSFET,具有低导通电阻、高耐压和高电流容量的特点,适合在高功率密度和高频开关应用中使用。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流(ID):60A
最大漏-源电压(VDS):150V
导通电阻(RDS(on)):约0.022Ω(典型值)
栅极阈值电压(VGS(th)):2V~4V
最大功耗(PD):150W
封装形式:TO-247
工作温度范围:-55°C~150°C
SKR60F15 具备多项优异特性,使其在高功率和高频率应用中表现出色。首先,其低导通电阻(RDS(on))显著降低了导通损耗,提高了电源转换效率。其次,该MOSFET的高耐压能力(150V)和大电流承载能力(60A)使其适用于多种高功率应用场景。此外,TO-247封装形式提供了良好的散热性能,有助于提高器件的稳定性和可靠性。该器件还具有快速开关特性,适合用于高频开关电源系统,从而减小外围电路的体积和重量。SKR60F15 还具备良好的热稳定性和过载保护能力,可在高温环境下稳定工作。其栅极阈值电压范围适中(2V~4V),兼容常见的驱动电路设计,便于集成到各种功率系统中。总的来说,SKR60F15 在性能、可靠性和设计灵活性方面均表现出色,是高功率应用中的理想选择。
此外,SKR60F15 的设计考虑了热管理和电磁干扰(EMI)控制,能够在高频率开关操作中保持较低的开关损耗和良好的抗干扰能力。这使得它在电动车充电器、工业电源、光伏逆变器、不间断电源(UPS)等应用中具有广泛的应用前景。
SKR60F15 主要应用于需要高效率和高可靠性的功率电子系统。其典型应用包括DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、开关电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电路、电池管理系统以及工业自动化设备中的电源模块。此外,该MOSFET也常用于电动车充电系统、光伏逆变器和储能系统的功率转换部分。由于其高耐压和大电流能力,SKR60F15 也适合用作高功率负载的开关元件,例如LED照明驱动、电焊机和感应加热设备。
IRF1405, STP60NF06, FDP6030L, TK31A60W