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SKR2F50/10UNF 发布时间 时间:2025/8/23 7:24:18 查看 阅读:13

SKR2F50/10UNF 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于N沟道增强型MOSFET。该器件专为高效率功率转换应用设计,具有低导通电阻、高开关速度和优良的热性能。SKR2F50/10UNF 封装形式为TO-220,适用于需要高可靠性和高性能的电源管理系统。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):100V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):50A
  导通电阻(Rds(on)):≤10mΩ
  功耗(Ptot):160W
  工作温度范围:-55°C ~ +175°C
  封装形式:TO-220

特性

SKR2F50/10UNF MOSFET 具有多个显著的技术特性,首先是其极低的导通电阻(Rds(on)),最大值为10毫欧,这使得在大电流条件下导通损耗显著降低,提高了系统的整体效率。该器件的额定漏源电压为100V,允许其在中高压应用中使用,同时具备±20V的栅源电压耐受能力,提供了良好的驱动兼容性。
  此外,该MOSFET的连续漏极电流可达50A,适合用于高功率密度的设计。其TO-220封装形式不仅提供了良好的散热能力,也便于安装在散热片上,进一步增强了热管理能力。SKR2F50/10UNF的总功耗为160W,表明其在高温环境下仍能保持稳定运行。

应用

SKR2F50/10UNF MOSFET 广泛应用于需要高效能功率控制的电子系统中。例如,在电源管理系统中,该器件可用于DC-DC降压/升压转换器、同步整流器和负载开关等电路,其低导通电阻特性可显著提高能效。

替代型号

STP55NF06, IRF1404, FDP55N06, IPW55R060CFD7

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