SKR2F50/10UNF 时间：2025/8/23 7:24:18 阅读：22

SKR2F50/10UNF 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于N沟道增强型MOSFET。该器件专为高效率功率转换应用设计，具有低导通电阻、高开关速度和优良的热性能。SKR2F50/10UNF 封装形式为TO-220，适用于需要高可靠性和高性能的电源管理系统。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：100V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：50A
　　导通电阻（Rds(on)）：≤10mΩ
　　功耗（Ptot）：160W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-220

特性

SKR2F50/10UNF MOSFET 具有多个显著的技术特性，首先是其极低的导通电阻（Rds(on)），最大值为10毫欧，这使得在大电流条件下导通损耗显著降低，提高了系统的整体效率。该器件的额定漏源电压为100V，允许其在中高压应用中使用，同时具备±20V的栅源电压耐受能力，提供了良好的驱动兼容性。
　　此外，该MOSFET的连续漏极电流可达50A，适合用于高功率密度的设计。其TO-220封装形式不仅提供了良好的散热能力，也便于安装在散热片上，进一步增强了热管理能力。SKR2F50/10UNF的总功耗为160W，表明其在高温环境下仍能保持稳定运行。