时间：2025/8/23 15:08:30
阅读：12
SKR140F12 是一款由东芝（Toshiba）制造的功率MOSFET晶体管，主要用于高频率开关应用。该器件采用先进的沟槽栅极技术，提供较低的导通电阻和优异的开关性能。SKR140F12 主要设计用于电源转换系统、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等应用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：140A
最大漏源电压（VDS）：120V
导通电阻（RDS(on)）：最大值5.5mΩ
栅极电荷（Qg）：典型值85nC
封装类型：TO-263（D2PAK）
工作温度范围：-55°C 至 175°C
SKR140F12 MOSFET具有多项优良特性，使其适用于高性能功率电子系统。
首先，该器件采用了先进的沟槽栅极技术，使得导通电阻显著降低，从而减少了导通损耗并提高了系统的整体效率。这种低RDS(on)特性在高电流应用中尤为重要，能够有效减少发热，提高可靠性。
其次，SKR140F12具备较低的栅极电荷（Qg），有助于减少开关过程中的能量损耗，提升开关速度，从而适用于高频开关电源和DC-DC转换器等应用。
此外，该MOSFET采用TO-263（D2PAK）表面贴装封装，具有良好的热性能和机械稳定性，适用于自动化装配工艺，便于大批量生产与安装。
其高耐压特性（120V漏源电压）使其能够在中高功率应用中稳定工作，同时具备良好的抗雪崩能力和过载能力，增强了系统的稳定性与安全性。
SKR140F12还具有宽泛的工作温度范围（-55°C至175°C），适合在恶劣环境条件下运行，如工业控制、汽车电子和高可靠性电源系统。
SKR140F12 MOSFET广泛应用于多种功率电子设备中。在电源管理系统中，它被用于构建高效率的DC-DC降压/升压转换器、同步整流器和负载开关。在电机控制领域，该器件可用于H桥驱动电路，实现对直流电机或步进电机的高效控制。此外，它还可用于电池管理系统（BMS）、光伏逆变器、UPS不间断电源以及工业自动化设备中的功率开关电路。由于其高可靠性和优异的热性能，该器件在汽车电子系统中也有广泛应用，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和电动水泵控制模块等。
SiR140DP, IPB140N12N3, SKR140F120, TPH1R406ND, STD140N120-8AG
