SKR136F08 时间：2025/8/23 17:05:58 阅读：11

SKR136F08 是一款由东芝（Toshiba）制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率和高功率密度应用而设计。该器件具有低导通电阻（Rds(on)），能够在较高电流下工作，并且具有良好的热性能，适用于各种功率管理应用，例如DC-DC转换器、电源管理和电机控制。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：130A
　　最大漏-源电压（VDS）：80V
　　最大栅-源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：8mΩ（典型值）
　　封装形式：TO-274AA（D2PAK）
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C

特性

SKR136F08 MOSFET 的主要特性之一是其低导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高系统效率。这种低Rds(on)特性使得该器件在高电流条件下仍能保持较低的导通压降，从而减少了发热并提高了可靠性。
　　此外，SKR136F08 采用 TO-274AA 封装（也称为 D2PAK），具有良好的热管理和机械稳定性，适合高功率密度设计。该封装支持表面贴装安装，有助于简化 PCB 布局和提高制造效率。
　　该器件的高耐压能力（80V VDS）使其适用于多种中高功率应用，例如汽车电子系统、工业电源、负载开关和马达驱动器。其宽工作温度范围也确保了在恶劣环境下的稳定运行。
　　SKR136F08 的栅极驱动电压范围较宽（±20V），允许使用标准的栅极驱动电路。这种灵活性有助于简化设计，并与各种控制器或驱动IC兼容。

应用

SKR136F08 MOSFET 通常用于需要高效能和高功率输出的电路中。其主要应用包括但不限于：同步整流DC-DC转换器、高侧和低侧负载开关、电池管理系统（BMS）、马达控制、功率因数校正（PFC）电路以及工业自动化设备中的电源模块。
　　由于其低Rds(on)和高电流处理能力，该器件在服务器电源、电信设备电源和车载充电器等高效率要求的应用中表现出色。
　　此外，该MOSFET适用于需要快速开关特性的应用，如PWM控制的电源转换系统，其快速响应能力有助于减少开关损耗，提高整体系统效率。