SKQGADE010 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管,广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等领域。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关特性,能够显著提升效率并降低功耗。
SKQGADE010 属于 N 沟道增强型 MOSFET,适用于中高压场景,支持高频率操作,同时具备出色的热稳定性和可靠性。
最大漏源电压:650V
连续漏极电流:10A
导通电阻:0.12Ω
栅极电荷:35nC
总电容(输入):1200pF
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
1. 极低的导通电阻,可减少传导损耗,提升系统效率。
2. 快速开关速度,支持高频应用,有助于缩小电路尺寸。
3. 高耐压能力,适用于多种高压应用场景。
4. 内置 ESD 保护功能,提高了器件的抗静电能力。
5. 小型封装设计,便于 PCB 布局与散热管理。
6. 符合 RoHS 标准,环保且安全可靠。
1. 开关电源 (SMPS) 中的主开关元件。
2. DC-DC 转换器中的同步整流或降压/升压转换。
3. 电机驱动中的功率级控制。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 太阳能逆变器中的功率转换模块。
6. 各种需要高效功率管理的电子设备。
IRF840
STP10NK65Z
FQP17N65C