时间：2025/8/22 20:13:06
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SKPT21B5是一款由东芝（Toshiba）生产的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于功率电子设备中。该器件具有高电流能力和良好的热稳定性，适合用于开关电源、电机控制和负载管理等多种场景。SKPT21B5采用SOP（小外形封装）形式，便于在电路板上安装和使用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：20A
漏源极电压（VDS）：60V
栅源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：35mΩ（典型值，VGS=10V）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：SOP
SKPT21B5是一款高性能MOSFET，具有低导通电阻，使得在高电流工作条件下能够有效降低功率损耗。其60V的漏源极电压允许在多种中高功率应用中使用，具备较强的电压耐受能力。此外，该器件的封装形式为SOP，有助于节省PCB空间，并提供良好的散热性能。
该MOSFET具备快速开关能力，适用于高频开关应用，如DC-DC转换器和同步整流电路。其栅极驱动电压范围较宽，可以在4.5V至20V之间正常工作，兼容多种驱动电路设计。同时，SKPT21B5在高温环境下仍能保持稳定工作，具备较高的可靠性。
在保护特性方面，SKPT21B5内置的体二极管可以提供反向电压保护，适用于感性负载切换场景，如电机控制和继电器驱动。该器件的耐用性和稳定性使其成为工业自动化、汽车电子和消费类电子产品中的理想选择。
SKPT21B5广泛应用于开关电源（SMPS）、直流电机控制、LED驱动器、电池管理系统、负载开关、逆变器以及各类功率管理电路。在汽车电子领域，它可用于车载充电系统和电动助力转向系统。在工业控制方面，常用于PLC模块和自动化设备中的功率开关元件。
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