类型：IGBT模块
　　配置：双管（Dual）
　　最大集电极-发射极电压（VCES）：1200V
　　额定集电极电流（IC）：50A
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　封装形式：模块封装
　　安装方式：螺钉安装
　　散热方式：散热器冷却
　　短路耐受能力：典型值600A
　　热阻（RthJC）：约0.35K/W
　　栅极驱动电压：+15V / -15V
　　工作频率范围：最高可达20kHz
　　绝缘等级：符合UL标准，爬电距离>8mm

SKNH56/04E 作为一款高性能的IGBT模块，具备多项优越特性。首先，它采用了先进的IGBT芯片技术，具有较低的导通压降和开关损耗，从而提高了整体系统的能效。其次，该模块的封装设计优化了热管理和机械稳定性，确保在高温和高电流条件下仍能保持稳定运行。此外，SKNH56/04E 具有良好的短路保护能力和过载能力，能够在极端工作条件下提供可靠的保护。模块的双管配置（Dual）设计使得在半桥或全桥拓扑中使用更加方便，减少了外部电路的复杂性。其螺钉安装方式和标准的封装尺寸使其易于集成到现有的电力电子系统中。最后，模块符合RoHS环保标准，适用于各种工业应用。

SKNH56/04E 主要应用于需要高效、高可靠性的电力电子变换系统。常见应用包括工业变频器、伺服驱动器、UPS不间断电源、太阳能逆变器、电焊机、感应加热设备以及电动汽车充电系统。由于其高耐压和高电流能力，该模块也适用于中高功率电机控制和能量转换系统。在这些应用中，SKNH56/04E 提供了优异的开关性能和热稳定性，有助于提高设备的整体效率和可靠性。

SKM50GB12T4、FGA60N120D、IXGH50N120T