SKNH56/02E是一款由Semikron(赛米控)制造的双功率晶体管模块,主要用于高功率应用,例如工业电机驱动、电力变换系统、以及电动汽车充电设备等。该模块采用高性能的IGBT(绝缘栅双极晶体管)技术,具有低导通压降、高开关速度和出色的热性能。SKNH56/02E采用紧凑的封装设计,便于在高密度电路中应用,并具有良好的可靠性和稳定性,适合在恶劣环境下工作。
类型:IGBT模块
集电极-发射极电压(Vce):1200V
额定集电极电流(Ic):75A
工作温度范围:-40°C至+150°C
封装类型:双列直插式封装(DIP)
开关频率:典型值为20kHz
导通压降:约1.7V(典型值)
功耗:约150W(最大)
隔离电压:2500V AC(1分钟)
SKNH56/02E的核心特性包括优异的热管理性能和高功率密度,这使得该模块在高负载条件下仍能保持稳定的运行。其采用的IGBT芯片具有低导通损耗和开关损耗,有助于提高整体系统的能效。此外,该模块集成了两个IGBT单元,使得其在半桥或全桥拓扑结构中非常适用,尤其适合用于逆变器和整流器的设计。模块的封装设计提供了良好的电气隔离和机械稳定性,确保了在高电压和高电流环境下的安全运行。SKNH56/02E还具有良好的抗热疲劳能力和较高的耐用性,能够在频繁的开关操作中保持较长的使用寿命。此外,该模块的引脚布局合理,便于PCB布线和散热器安装,有助于提高整体系统的可靠性和维护便利性。
SKNH56/02E广泛应用于需要高功率密度和高效能的电子系统中,例如工业电机驱动器、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器、电动汽车充电器、电焊机以及各种类型的电力转换装置。由于其高可靠性和优异的热性能,该模块也适用于一些对安全性和稳定性要求较高的场合,如轨道交通系统中的牵引变流器和车载充电系统。此外,在智能电网和储能系统中,SKNH56/02E也常被用于功率因数校正(PFC)和能量转换控制。
SKHI56/02E