类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流（Id）：80A
　　最大漏源电压（Vds）：40V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.0045Ω（典型值）
　　功耗（Ptot）：160W
　　封装类型：PowerFLAT 5x6
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C

SKN8000P04 的主要特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），仅为 0.0045Ω，这使得在导通状态下功率损耗显著降低，从而提高了系统的能效。此外，该 MOSFET 可以承载高达 80A 的连续漏极电流，并在短时间承受更高的脉冲电流，使其适用于高功率密度设计。
　　这款 MOSFET 采用 PowerFLAT 5x6 封装，具有较小的封装尺寸和良好的热管理性能，有助于在高负载条件下保持稳定的工作温度。其栅极驱动电压范围宽广，支持 10V 栅极驱动电压下的完全导通，同时也适用于 4.5V 至 20V 的栅极电压范围，增加了其在不同应用中的灵活性。
　　SKN8000P04 的快速开关特性使其在高频应用中表现出色，减少了开关损耗并提高了系统响应速度。同时，该器件具有良好的抗雪崩能力，提高了在高能量应力条件下的可靠性。此外，其高耐用性和稳定的电气特性使其成为工业电源、电机控制和电池管理系统等关键应用的理想选择。

SKN8000P04 主要应用于高效率的电源管理系统中，包括 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器以及电池管理系统（BMS）等。在服务器电源、电信设备和工业自动化系统中，该 MOSFET 常用于高效能的功率转换电路中，以实现更高的能效和更小的系统尺寸。
　　由于其优异的导通性能和高电流承载能力，该器件也广泛用于电动工具、无人机、储能系统和电动汽车中的功率控制电路。此外，在太阳能逆变器、不间断电源（UPS）以及工业电机控制应用中，SKN8000P04 提供了可靠的开关性能和良好的热稳定性，确保系统在高负载条件下稳定运行。

IRF1324S-7PP, IPD80N04S4-03, STD80N4F7