时间：2025/8/23 7:34:47
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SKN501/18 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件广泛应用于电源管理、电机驱动、DC-DC 转换器、逆变器等高功率电子系统中。SKN501/18 采用先进的工艺制造，具备高耐压、低导通电阻和高开关性能的特点，适用于需要高效能和高可靠性的工业和汽车应用。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流（Id）：180A
最大漏源电压（Vds）：500V
导通电阻（Rds(on)）：0.042Ω（典型值）
栅极阈值电压（Vgs(th)）：4V（典型值）
最大栅极电压（Vgs(max)）：±20V
最大功耗（Ptot）：300W
封装形式：TO-247
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
SKN501/18 具备出色的电气性能和热稳定性，能够在高电压和高电流环境下稳定工作。其低导通电阻特性可以显著降低导通损耗，提高系统整体效率。此外，该 MOSFET 的快速开关特性使其适用于高频开关应用，有助于减小外围电路的体积和重量，提高功率密度。其采用的 TO-247 封装具备良好的散热性能，适用于高功率密度设计。
该器件还具备优异的抗雪崩能力和抗过热能力，能够在严苛的工作环境下保持稳定运行。SKN501/18 的栅极驱动电压范围较宽，支持常见的 10V 至 15V 驱动电压，便于与各类栅极驱动 IC 配合使用。同时，其具备较低的输入电容和输出电容，有助于降低开关损耗并提高响应速度。
SKN501/18 常用于各种高功率和高电压应用中，包括工业电源、DC-DC 转换器、UPS（不间断电源）、电机驱动器、逆变器、太阳能逆变器以及电动汽车充电系统等。由于其优异的电气性能和可靠性，也广泛应用于汽车电子系统，如车载充电器和电机控制系统等。此外，该 MOSFET 还适用于需要高效能和高稳定性的消费类电子产品和工业自动化设备。
STP180N50UFD, IPW50N18C3, IRFP4668
