类型：IGBT模块
　　集电极-发射极电压（Vce）：1000V
　　集电极电流（Ic）：200A
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　封装类型：模块化封装（带有散热基板）
　　短路耐受能力：5μs @ 1000V
　　最大功耗：300W
　　输入电容（Cies）：约 2000pF
　　输出电容（Coes）：约 500pF
　　反馈电容（Cres）：约 300pF

SKN2M100/02 的主要特性之一是其高耐压能力，能够承受高达1000V的集电极-发射极电压，这使其适用于高电压电力电子系统。该模块具有较高的集电极电流额定值（200A），能够在大功率负载下稳定工作。此外，SKN2M100/02 的短路耐受能力为5μs @ 1000V，表明其在异常工况下具有良好的稳定性和安全性。
　　该模块采用模块化封装设计，内部集成了多个IGBT芯片并联结构，提高了电流承载能力和可靠性。模块的散热性能优异，通常配备金属基板以提高热传导效率，适合高功率密度设计。
　　SKN2M100/02 还具有较低的导通压降和开关损耗，这有助于提高系统的整体效率并减少热量产生。其输入电容、输出电容和反馈电容参数优化，确保了快速开关特性和良好的动态响应性能。
　　此外，该模块具有良好的抗干扰能力，适用于电磁环境较为复杂的工业场合。模块的封装结构提供了一定的电气隔离能力，增强了系统的安全性。

SKN2M100/02 广泛应用于高功率电力电子设备中，例如交流电机驱动器、可再生能源系统（如风力发电和太阳能逆变器）、工业UPS系统、电能质量调节设备（如有源滤波器）以及电动汽车充电系统。该模块特别适合需要高电压、高电流和高可靠性的应用场景。在电机控制中，它能够实现高效的变频调速控制；在逆变器设计中，可以将直流电高效地转换为交流电以供电网或负载使用。此外，该模块也常用于工业自动化系统中的大功率开关控制。

SKN3M100/02, SKN2M100/03