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SKN2F50/02 发布时间 时间:2025/8/23 1:31:51 查看 阅读:9

SKN2F50/02 是一款由西门康(Siemens)公司推出的绝缘栅双极型晶体管(IGBT),专为高功率应用设计。该器件结合了MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通压降的优点,适用于逆变器、电机驱动、UPS系统及工业自动化设备等应用场景。

参数

类型:IGBT
  最大集电极-发射极电压(VCES):600V
  最大集电极电流(IC):50A(在Tc=80℃)
  导通压降(VCEsat):约2.1V(典型值)
  最大工作温度:150℃
  封装类型:TO-247
  短路耐受能力:有
  栅极驱动电压范围:15V至20V

特性

SKN2F50/02具备优异的热稳定性和高可靠性,适用于高开关频率和高功率密度的设计需求。其导通压降较低,有助于降低导通损耗,提高系统效率。此外,该IGBT具有良好的短路耐受能力,能够在异常情况下保护器件免受损坏。芯片设计采用了先进的沟道技术,增强了器件的动态性能,同时降低了开关损耗。该器件还具有较高的抗热疲劳能力,确保在频繁开关操作下的长期稳定性。
  该IGBT的封装采用TO-247形式,便于安装和散热管理,适用于多种功率模块设计。其栅极驱动电压范围为15V至20V,确保在不同驱动条件下都能稳定工作。SKN2F50/02还具备良好的抗电磁干扰能力,适合在复杂的工业环境中使用。

应用

SKN2F50/02广泛应用于电力电子变换器、电机驱动系统、不间断电源(UPS)、焊接设备、电能质量调节装置以及可再生能源系统(如光伏逆变器和风力发电变流器)等。其高可靠性和优异的开关性能使其成为工业自动化和电动汽车充电设备中的理想选择。此外,该器件也常用于高频感应加热和家电变频控制等领域。

替代型号

SKN3F50/02, SKN2F50/04, FF50R12KT4, IKW50N65H5

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