SKN2F17/06 时间：2025/8/23 12:39:12 阅读：8

SKN2F17/06 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率和高频率的应用。这款器件采用先进的技术，具备低导通电阻、高电流容量和高耐压能力，适用于如电源管理、DC-DC 转换器、马达驱动器、电池管理系统等场景。其封装形式为 TO-220，具有良好的散热性能和机械稳定性。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：600V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：17A（在Tc=100℃时）
　　导通电阻(Rds(on))：0.22Ω（最大值，Vgs=10V时）
　　工作温度范围：-55℃ 至 150℃
　　封装形式：TO-220
　　功率耗散(Pd)：125W

特性

SKN2F17/06 MOSFET 具备多项优异特性，首先，其高耐压能力（Vds=600V）使其非常适合用于高压系统，如工业电源、UPS（不间断电源）、太阳能逆变器等。其次，低导通电阻（Rds(on)=0.22Ω）显著降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。此外，该器件的最大连续漏极电流为17A，具备较强的电流承载能力，适用于高负载应用。
　　该MOSFET的栅极驱动电压范围为±20V，支持标准的10V驱动电压，兼容常见的驱动电路设计。同时，其热阻较低，结合TO-220封装良好的散热性能，可以在较高功率下稳定运行，确保系统长期工作的可靠性。
　　SKN2F17/06 还具备良好的短路耐受能力，有助于提高系统的安全性，防止在异常工况下发生器件损坏。其高抗干扰能力和稳定的开关特性也使其适用于高频开关应用，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器等。整体而言，该器件在性能、可靠性与易用性方面达到了较好的平衡。

应用

SKN2F17/06 广泛应用于多个高功率电子系统中，特别是在需要高电压和高效率的场合。其主要应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）、UPS（不间断电源）、太阳能逆变器以及工业控制设备等。在这些应用中，SKN2F17/06 的低导通电阻和高耐压特性能够有效提升系统效率，减少能量损耗，同时其良好的热性能确保了器件在高负载下的稳定运行。此外，该MOSFET也可用于负载开关、电源管理模块以及各种电源转换电路中，适用于广泛的工业和消费类电子产品。