SKN26/08 时间：2025/8/23 12:32:52 阅读：4

SKN26/08 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高效率电源管理和功率转换应用，具有低导通电阻（Rds(on)）和高耐压能力，使其在电源转换器、马达驱动和负载开关等场合表现出色。SKN26/08 采用 TO-220 封装，适合高功率密度的设计，同时具备良好的热性能。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：26V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：130A
　　导通电阻（Rds(on)）：8mΩ（典型值）
　　最大功耗（Ptot）：160W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-220

特性

SKN26/08 的核心特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），仅为 8mΩ，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具有较高的额定电流能力，最大连续漏极电流可达 130A，适用于高功率应用场景。其 26V 的漏源耐压能力使其适用于中低压功率转换系统，如 DC-DC 转换器、同步整流器和电机控制电路。
　　该 MOSFET 还具备良好的热稳定性，TO-220 封装具有优良的散热性能，能够有效管理功率损耗带来的热量。此外，SKN26/08 内部结构优化，具备较低的开关损耗，适用于高频开关电源设计。在栅极驱动方面，其栅源电压容限为 ±20V，允许使用标准驱动电路进行控制，提高了设计的灵活性。
　　该器件还具备过热保护和过流保护能力，在极端工作条件下仍能保持稳定运行，增强了系统的可靠性。此外，SKN26/08 的封装设计符合 RoHS 环保标准，适用于现代电子制造中对环保材料的要求。

应用

SKN26/08 广泛应用于多种功率电子系统中，特别是在需要高效能和高电流能力的场合。常见的应用包括 DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动器、负载开关和电池管理系统。由于其低导通电阻和高电流能力，它在电源管理模块中用于提高能效并降低热量产生。
　　在汽车电子领域，SKN26/08 可用于电动车辆的功率控制模块、车载充电器和起停系统中的功率开关。工业自动化设备如 PLC（可编程逻辑控制器）和伺服驱动器也常使用该器件进行高精度电机控制。
　　此外，SKN26/08 也适用于大功率 LED 照明驱动器、不间断电源（UPS）以及太阳能逆变器中的功率转换环节。由于其良好的热管理和高频特性，它在需要紧凑设计和高可靠性的应用中表现尤为出色。