时间：2025/8/23 8:51:22
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SKN26/02 是一款由 STMicroelectronics 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和功率转换电路中。该器件采用先进的平面工艺制造，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适合用于 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统等场合。SKN26/02 的封装形式通常为 TO-220 或 DPAK，便于散热和安装。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压 Vds：200V
栅源电压 Vgs：±20V
连续漏极电流 Id：26A（在 Tc=25°C）
导通电阻 Rds(on)：0.085Ω（最大值，Vgs=10V）
功率耗散 Pd：160W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-220、DPAK
SKN26/02 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET，其主要特性包括低导通电阻、高电流容量和优良的热性能。该器件的导通电阻非常低（最大 0.085Ω），在高电流条件下可以显著降低功率损耗，提高系统效率。此外，SKN26/02 的栅极电荷（Qg）较低，有助于实现高速开关操作，减少开关损耗，适用于高频开关电源和 DC-DC 转换器。该 MOSFET 具有良好的热稳定性和耐久性，能够在高温环境下稳定工作。
SKN26/02 还具备较高的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过压情况下保持稳定，增强系统的可靠性和安全性。其封装形式为 TO-220 或 DPAK，具有良好的散热性能，适合高功率应用。此外，该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持 4.5V 至 10V 的驱动电压，便于与各种控制电路兼容，如 PWM 控制器或微处理器。SKN26/02 在设计上采用了先进的平面工艺，确保了器件的稳定性和一致性，适用于工业电源、汽车电子、消费类电子产品等多个领域。
SKN26/02 适用于多种功率电子系统，包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、负载开关、电机控制、电池管理系统、UPS（不间断电源）、逆变器以及各种高功率开关应用。由于其低导通电阻和高效率特性，它特别适合用于需要高效率和高可靠性的电源系统。在汽车电子领域，SKN26/02 可用于车载充电器、电动助力转向系统和车载逆变器等应用。此外，它还可用于工业自动化设备、LED 照明驱动器和家用电器中的功率控制部分。
IPW90R120C3, FDPF26N20, STP26NM20, TK26A60D
