时间：2025/8/23 1:52:15
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SKN1M20/02是一款由Semikron生产的IGBT模块，适用于高功率电子应用。该模块集成了一个IGBT芯片和一个快速恢复二极管，提供高效的功率转换能力。由于其紧凑的设计和高性能特性，该模块广泛应用于工业电机驱动、变频器、电源系统等领域。
类型：IGBT模块
最大集电极-发射极电压（VCES）：1200V
额定集电极电流（IC）：20A
最大工作温度：150°C
封装类型：模块封装
短路耐受能力：有
导通压降：约1.5V（典型值）
反向恢复时间：约80ns（典型值）
SKN1M20/02具备优异的热管理和电气性能，确保在高功率密度应用中的可靠性。该模块采用了先进的沟槽栅场截止IGBT技术，降低了导通损耗和开关损耗，从而提高了整体效率。此外，集成的快速恢复二极管优化了系统的反向恢复特性，减少了电磁干扰（EMI）。模块的封装设计提供了良好的绝缘性能和机械稳定性，适用于严苛的工作环境。其内部芯片布局和焊接工艺确保了长期运行的稳定性和耐用性。
SKN1M20/02常用于工业变频器、伺服驱动器、UPS系统、可再生能源系统（如太阳能逆变器）、电动汽车充电设备以及高频电源转换系统。这些应用场景要求高效率、高可靠性和紧凑的设计，而SKN1M20/02正好能够满足这些需求。
SKN20N120
FGA25N120
