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SKM75GB128DN 发布时间 时间:2025/8/23 13:06:54 查看 阅读:29

SKM75GB128DN 是一款由富士电机(Fuji Electric)制造的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,广泛用于电力电子系统中,如变频器、电机驱动、电源设备以及工业自动化控制系统。该模块集成了多个IGBT芯片和反向并联的二极管,具有高电流承载能力和优异的热性能。SKM75GB128DN 采用模块化封装设计,便于安装和散热管理,适用于中高功率应用场合。

参数

类型:IGBT模块
  额定集电极-发射极电压(VCES):1200V
  额定集电极电流(IC):75A
  短路耐受能力:10μs@150°C
  工作温度范围:-40°C ~ +150°C
  封装形式:双列直插式(Dual-in-Line)
  绝缘等级:增强绝缘
  栅极驱动电压范围:-15V ~ +15V
  短路电流能力:150A
  导通压降(VCE_sat @ IC=75A):约2.1V
  反向恢复时间(trr):典型值约 200ns

特性

SKM75GB128DN IGBT模块具有多项优良特性,适用于高性能功率转换系统。
  首先,该模块具备较高的电压和电流耐受能力,VCES额定值为1200V,IC额定值为75A,能够在高功率密度应用中提供稳定的开关性能。其短路电流能力可达150A,支持短时间高负载运行,提升了系统的可靠性。
  其次,模块内部采用先进的IGBT芯片技术,具有较低的导通压降(VCE_sat)和快速的开关速度,有助于降低导通损耗和开关损耗,提高整体能效。此外,其反向恢复时间较短(trr约为200ns),可有效减少整流二极管的损耗,适用于高频开关应用。
  在热管理方面,SKM75GB128DN 采用高导热陶瓷基板(通常为Al?O?)和焊接结构,提高了热传导效率,支持更高的功率循环能力,延长模块使用寿命。
  该模块还具备良好的绝缘性能,采用增强型绝缘封装,绝缘电压可达2500V以上,适用于工业级高电压隔离要求。
  最后,其双列直插式(Dual-in-Line)封装结构便于安装在散热器上,简化了系统设计和维护流程。

应用

SKM75GB128DN 主要应用于需要高效功率转换和控制的工业与电力电子设备中。
  在变频器和电机驱动系统中,该模块用于构建三相逆变器桥式电路,驱动交流感应电机和永磁同步电机,广泛用于工业自动化、电梯控制、风机水泵变频控制等领域。
  在不间断电源(UPS)系统中,SKM75GB128DN 可用于DC/AC逆变部分,实现高效稳定的电能转换,保障电力中断时的持续供电。
  该模块也适用于太阳能逆变器、储能系统、电焊机、感应加热设备等中高功率应用场合。
  此外,由于其良好的短路耐受能力和热稳定性,SKM75GB128DN 还可用于电动汽车充电桩、轨道交通变流器等对可靠性要求较高的应用场景。

替代型号

SKM75GB128K、SKM50GB128D、FF75R12RT4、FF75R12KE4

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