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SKM25GD100D 发布时间 时间:2025/8/23 12:58:35 查看 阅读:15

SKM25GD100D是一款由SEMIKRON(西门康)制造的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,广泛应用于工业电力电子设备中。该模块采用了先进的IGBT芯片技术,结合了高可靠性和高性能,适用于需要高效率和高功率密度的场合。SKM25GD100D属于双管IGBT模块,通常用于半桥或H桥拓扑结构中。

参数

额定集电极-发射极电压(VCES):100V
  额定集电极电流(IC):25A
  最大工作温度:150℃
  短路耐受能力:5μs
  封装形式:双列直插式封装(DIP)
  内部结构:包含两个IGBT芯片,组成半桥拓扑结构
  栅极驱动电压范围:±20V
  最大栅极-发射极电压:20V
  导通压降(VCE_sat):约1.65V(典型值,IC=25A时)

特性

SKM25GD100D具有多个显著的性能特点,使其适用于多种高功率应用。首先,该模块的额定集电极-发射极电压为100V,适合中等电压范围的应用,如电机驱动、变频器和UPS系统。其额定集电极电流为25A,能够在较宽的负载范围内保持稳定运行。
  其次,SKM25GD100D具备较强的短路耐受能力,能够在短时间内承受较大的短路电流,提高了系统的可靠性,降低了因瞬态故障导致损坏的风险。该模块的最大工作温度为150℃,表明其具有良好的热稳定性,适用于高温环境下的运行。
  此外,SKM25GD100D采用双列直插式封装(DIP),便于安装和维护,并且内部结构包含两个IGBT芯片,组成半桥拓扑结构,简化了外部电路设计,提高了系统的集成度。该模块的栅极驱动电压范围为±20V,适用于多种驱动电路设计,具有良好的兼容性。
  最后,该模块的导通压降(VCE_sat)约为1.65V,在额定电流下表现出较低的导通损耗,有助于提高整体系统的能效。其封装设计和内部结构优化了热管理和电气性能,使得该模块在高频开关应用中也能保持稳定和高效运行。

应用

SKM25GD100D IGBT模块广泛应用于各种工业和电力电子设备中。常见的应用包括电机驱动器、变频器、不间断电源(UPS)、焊接设备、电能质量调节系统以及新能源领域的逆变器和充电器。由于其额定电压和电流适中,该模块特别适合用于需要中等功率处理能力的场合,如小型工业控制系统和自动化设备。
  在电机驱动领域,SKM25GD100D可用于交流变频调速系统,实现对电机转速和扭矩的精确控制,提高能效和运行稳定性。在UPS系统中,该模块可作为逆变器的核心元件,将直流电源转换为稳定的交流输出,确保关键设备在停电情况下的持续运行。
  此外,该模块还可用于电能质量调节设备,如有源滤波器和谐波补偿器,帮助改善电网电能质量,减少谐波干扰。在新能源领域,SKM25GD100D也可应用于光伏逆变器和储能系统的能量转换模块,提高能源利用效率。
  由于其良好的热稳定性和短路保护能力,SKM25GD100D也适用于需要频繁启停或承受瞬态负载的工业设备,如焊接机和感应加热装置。

替代型号

SKM30GD120D, SKM25GB120D

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