最大集电极-发射极电压(Vce)：1200V
　　最大集电极电流(Ic)：200A
　　最大工作温度：150°C
　　导通压降(Vce_sat)：约2.1V（典型值）
　　反向恢复二极管最大电流(If)：200A
　　短路耐受能力：10μs @ 150°C
　　封装类型：双列直插式封装（DIP）
　　安装方式：螺钉安装
　　热阻(Rth)：0.29K/W（结到外壳）

SKM200GB1235D模块采用了先进的IGBT芯片技术，具有较低的导通压降和开关损耗，从而提高了整体能效。该模块的内部结构设计优化了热管理和电流分布，确保在高功率密度应用中的稳定性和可靠性。此外，该模块具备良好的短路保护能力，能够在异常工况下保持器件安全。
　　模块的封装材料符合UL94-V0标准，提供了优异的机械强度和电气绝缘性能。其内部连接采用高可靠性焊接技术，确保在高振动和温度变化环境下依然保持稳定的电气连接。SKM200GB1235D还具备良好的并联能力，适合在多模块并联设计中使用，以满足更高功率的需求。

SKM200GB1235D广泛应用于各种高功率电子系统中，如工业变频器、不间断电源（UPS）、电焊机、感应加热设备、风力发电变流器以及电动汽车充电系统。由于其高电流容量和优异的热管理性能，该模块特别适合用于需要高效能和高可靠性的电力电子转换系统。
　　在电机驱动领域，SKM200GB1235D常用于高性能变频器中，实现对电机速度和转矩的精确控制。在可再生能源系统中，如光伏逆变器和风力发电变流器，该模块用于将直流电转换为交流电并馈入电网。此外，它还常用于高频开关电源和大功率DC-DC转换器的设计。

SKM200GB1235D可以替代的型号包括SKM200GB12T4V、SKM200GB128D以及英飞凌的FF200R12KS4。在某些应用中，也可以使用其他厂商的1200V/200A IGBT模块进行替代，但需确保电气参数和封装尺寸匹配。