SKM200GAR176D 是一款由 Semikron(赛米控)制造的IGBT(绝缘栅双极晶体管)模块,广泛用于电力电子领域,如变频器、电机驱动、UPS系统以及可再生能源系统中。该模块设计用于高功率应用,具有较高的电流承载能力和较低的导通与开关损耗。它采用紧凑的封装设计,提高了功率密度并增强了散热性能。该模块通常用于三相逆变器拓扑结构中,支持高效的电能转换。
类型:IGBT模块
额定集电极-发射极电压(VCES):1700 V
额定集电极电流(IC):200 A
封装类型:双列直插式(Dual Inline Package)
配置:6-pack(6单元)
导通压降(VCE_sat):约2.1 V(典型值)
工作温度范围:-40°C 至 +150°C
封装材料:绝缘型(Isolated Baseplate)
安装方式:底板绝缘安装
最大耗散功率(Ptot):约400 W
短路耐受能力:50 A(10 μs)
SKM200GAR176D 具有多种优良特性,使其适用于各种高功率电子系统。首先,其额定电压为1700 V,额定电流为200 A,能够满足高功率需求,适用于中高压变频器和电机控制系统。其次,该模块采用了先进的IGBT芯片技术,具有较低的导通压降和开关损耗,从而提高了系统的整体能效,并降低了发热。
此外,SKM200GAR176D 采用6-pack结构,内部集成了6个IGBT单元和对应的反并联二极管,构成了完整的三相桥式逆变器模块。这种设计减少了外部电路的复杂性,提高了系统的可靠性。
该模块的封装采用底板绝缘设计,提高了安装灵活性,适用于多种散热结构。同时,其宽广的工作温度范围(-40°C 至 +150°C)使其在各种环境条件下都能稳定运行。
SKM200GAR176D 还具备良好的短路耐受能力,可在短时间内承受较高的电流冲击,从而提高系统的稳定性与安全性。此外,模块内部采用了高可靠性的焊接技术与材料,增强了模块的机械强度和热循环耐久性。
SKM200GAR176D 主要应用于需要高功率密度和高效能的电力电子系统中。例如,在工业变频器和伺服驱动器中,该模块可用于实现电机的高效控制。在不间断电源(UPS)系统中,该模块能够提供稳定的直流-交流转换能力,确保电力供应的连续性。
此外,该模块也广泛应用于太阳能逆变器和风能变流器等可再生能源系统中,用于将直流电转换为交流电并馈入电网。其高效率和高可靠性使其成为新能源系统中的理想选择。
在电动汽车和轨道交通领域,SKM200GAR176D 可用于电机控制器和充电系统中,提供高效能的功率转换与控制能力。
SKM300GB176D, SKM150GB176D, FZ200R17KE4