时间：2025/8/23 7:56:57
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SKM200GAR126D是一款由SEMIKRON（西门康）制造的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）模块，广泛用于高功率电子应用。该模块结合了MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通压降的优点，适用于需要高效能、高可靠性的电力电子系统。
额定集电极电流：200A
额定电压：1200V
导通压降：约2.1V（典型值）
工作温度范围：-40°C至+150°C
封装类型：双列直插式（DIP）
短路耐受能力：支持
栅极驱动电压：+15V/-15V
最大耗散功率：180W
SKM200GAR126D具备优异的热性能和电气性能，其内部结构设计优化了电流分布和热传导路径，确保在高负载条件下的稳定运行。该模块采用了先进的IGBT芯片技术，具有较低的开关损耗和导通损耗，提高了整体能效。
此外，该模块具有较强的短路耐受能力，能够在极端工况下提供额外的保护，防止因过流或短路造成的损坏。其双列直插式封装设计简化了安装过程，并提高了模块的机械稳定性。
该模块的栅极驱动电路设计兼容性良好，能够与多种驱动电路配合使用，确保精确的开关控制。同时，其宽广的工作温度范围使其适用于各种恶劣环境条件下的应用。
SKM200GAR126D常用于变频器、伺服驱动器、UPS不间断电源、电焊机、感应加热设备以及电动汽车充电系统等高功率应用场合。在工业自动化、能源转换和交通运输等领域中，该模块为系统提供了高效、可靠的电力电子解决方案。
SKM200GA126D, SKM150GB128D, FF200R12KT4
