SKM200GAL12V是一款由SEMIKRON(赛米控)制造的IGBT模块,广泛用于高功率电子设备中。该模块集成了多个IGBT芯片和反并联二极管,适用于需要高效能和高可靠性的应用,如工业电机驱动、逆变器、UPS系统和可再生能源系统等。SKM200GAL12V具有紧凑的封装设计和出色的热性能,能够在严苛的环境下稳定运行。
制造商:SEMIKRON
类型:IGBT模块
集电极-发射极电压(VCES):1200V
额定集电极电流(IC):200A
短路电流能力:400A(1ms)
工作温度范围:-40°C至150°C
封装类型:双列直插式(Dual-in-line)
安装方式:螺钉安装
绝缘等级:符合UL标准
封装材料:绝缘陶瓷基板
芯片技术:带有反向并联二极管的IGBT芯片
SKM200GAL12V模块采用了先进的IGBT芯片技术,提供高导通性能和低开关损耗,适用于高频开关应用。其双列直插式封装设计确保了良好的散热性能,同时提高了模块的机械强度和长期稳定性。模块内部集成了反并联二极管,减少了外部元件的数量,提高了系统的整体效率。此外,SKM200GAL12V具有较强的短路承受能力,可在短时间内承受高达400A的电流,从而提高了系统的安全性和可靠性。该模块还具有良好的热循环耐久性,适合在恶劣工业环境中使用。
该模块的电气特性非常优异,能够承受高达1200V的集电极-发射极电压,并且在额定电流200A下运行稳定。其低饱和压降特性有助于降低导通损耗,提高整体效率。此外,SKM200GAL12V的封装设计确保了良好的绝缘性能,符合UL认证标准,适用于各种高要求的工业应用。模块的热阻较低,有助于快速将热量传递到散热器,从而延长模块的使用寿命。
SKM200GAL12V广泛应用于各种高功率电子系统中,包括工业电机驱动器、变频器、不间断电源(UPS)、风力发电和太阳能逆变器等。在电机驱动应用中,该模块能够高效控制电机的转速和扭矩,提高系统能效。在UPS系统中,SKM200GAL12V可用于实现高效的直流到交流逆变,确保电力中断时的稳定供电。此外,该模块也适用于电动汽车充电设备、焊接机和感应加热系统等高功率应用,提供可靠的功率转换和控制功能。
SKM300GB12T4V1、SKM150GB12T4V1、FF200R12KT4_B11、SKM200GB125D