时间：2025/8/23 14:37:51
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SKM195GB128DN 是一款由富士电机（Fuji Electric）制造的IGBT（绝缘栅双极晶体管）模块，广泛用于高功率电子设备中，如工业电机驱动、电力转换系统和可再生能源系统。该模块集成了多个IGBT芯片和反并联二极管，提供了高效的功率开关性能和良好的热管理能力。
类型：IGBT模块
集电极-发射极电压（VCES）：1200V
额定集电极电流（IC）：195A
工作温度范围：-40°C至+150°C
短路耐受能力：600A（10μs）
封装类型：双列直插式封装（Dual in-line Package）
封装材料：绝缘陶瓷基板
热阻（Rth）：约0.35K/W（结至壳）
SKM195GB128DN 具有多个关键特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其1200V的阻断电压使其适用于中高压应用，如工业变频器和不间断电源（UPS）。其次，该模块的最大集电极电流可达195A，能够处理较大的负载电流，满足高功率密度设计的需求。
此外，该IGBT模块采用了先进的芯片封装技术，具有较低的导通压降和开关损耗，从而提高了整体效率并减少了散热需求。其短路耐受能力高达600A，持续时间可达10微秒，增强了模块在异常工况下的可靠性和稳定性。
在热管理方面，SKM195GB128DN 具有较低的热阻（约0.35K/W），能够有效地将热量从芯片传导至散热器，确保模块在高负载下仍能保持稳定的温度。其封装材料采用绝缘陶瓷基板，提供了良好的电气绝缘性能和机械强度。
最后，该模块符合RoHS环保标准，适用于各种工业环境，并支持多种冷却方式，包括风冷和水冷，适应不同的系统设计需求。
SKM195GB128DN 主要应用于需要高功率密度和高可靠性的电力电子系统中。常见的应用包括工业变频器、伺服驱动器、电梯控制系统、太阳能逆变器、风力发电变流器以及电能质量调节设备。此外，该模块也常用于电动汽车充电设备和储能系统，作为核心的功率开关元件，实现高效的能量转换和控制。
SKM200GB128DLC、SKM150GB128DNL、FF195R12RT4、FF200R12KS4
