类型：IGBT模块
　　集电极-发射极电压（VCES）：1200V
　　额定集电极电流（IC）：195A
　　短路耐受能力：典型值10μs
　　工作温度范围：-40°C至+150°C
　　封装类型：双列直插式（Dual）
　　配置：6-pack（包含6个IGBT单元和6个反并联二极管）
　　导通压降（VCE_sat）：约2.1V（典型值，IC=195A）
　　开关损耗：典型值如下：
　　 - 开通损耗（Eon）：约2.3mJ（IC=195A，VCE=600V）
　　 - 关断损耗（Eoff）：约4.1mJ（IC=195A，VCE=600V）
　　热阻（Rth）：典型值0.35K/W（从芯片到散热器）

SKM195GAR128DN具有多项高性能特性，使其适用于高功率密度和高可靠性要求的应用场景。首先，其高耐压能力（1200V）和大额定电流（195A）使其适用于中高功率变频器和电机驱动系统。其次，该模块采用先进的IGBT技术，具有较低的导通压降（VCE_sat），从而降低了导通损耗，提高了系统效率。此外，模块的开关损耗较低，有助于减少整体功率损耗，并允许在较高频率下运行，从而减小滤波器和电感器的体积。该模块还具备良好的短路耐受能力，确保在异常工作条件下仍能保持稳定运行。SKM195GAR128DN采用双列直插式封装（Dual）设计，便于安装和散热管理，适用于风冷或水冷散热系统。模块内部集成了6个IGBT单元和6个反并联二极管，构成一个完整的三相桥式电路，简化了系统设计并提高了集成度。其工作温度范围宽广（-40°C至+150°C），适应多种环境条件。模块的热阻较低（0.35K/W），有利于快速散热，延长使用寿命。这些特性使SKM195GAR128DN成为工业变频器、伺服驱动器、UPS系统、太阳能逆变器和电动汽车充电设备中的理想选择。

SKM195GAR128DN广泛应用于需要高效、高可靠性和高功率密度的电力电子系统中。其典型应用包括中高功率工业变频器和电机驱动器，适用于自动化生产线、数控机床和工业机器人等设备。在伺服控制系统中，该模块可用于实现精确的速度和位置控制。此外，它也适用于不间断电源（UPS）系统，为数据中心和关键设备提供稳定的电力保障。在可再生能源领域，SKM195GAR128DN可用于太阳能逆变器，将光伏阵列的直流电转换为交流电并馈入电网。它也可用于电动汽车充电设备，如直流快充站，实现高效、稳定的电能转换。此外，该模块还适用于感应加热、电焊机和轨道交通系统中的牵引变流器等高功率应用。其高耐压、大电流能力和低损耗特性，使其在这些复杂和高要求的应用中表现出色。

SKM200GB128DE, SKM150GB128D, SKM300GB128D