时间：2025/8/23 19:25:12
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SKM195GAL126D 是一款由SEMIKRON（西门康）制造的IGBT（绝缘栅双极晶体管）模块，广泛用于高功率电子设备中。该模块集成了多个IGBT芯片，具有高电流承载能力和低导通压降，适用于工业电机驱动、电动汽车、可再生能源系统等应用场景。SKM195GAL126D 的设计确保了在高频率开关操作下的高效能和稳定性。
型号：SKM195GAL126D
制造商：SEMIKRON
最大集电极-发射极电压（VCES）：1200V
最大集电极电流（IC）：195A
工作温度范围：-40°C 至 +150°C
封装类型：双列直插式封装（DIP）
IGBT类型：N沟道增强型
短路耐受能力：5μs
绝缘等级：符合UL 94 V-0标准
重量：约120g
SKM195GAL126D 模块具备多项先进特性，确保其在各种高功率应用中的可靠性和性能。首先，其高VCES电压等级（1200V）使其适用于中高功率的工业和汽车应用。模块的IC额定电流为195A，能够在高负载条件下稳定运行，且具备短路保护能力，可在5μs内安全关断，防止器件损坏。
该模块采用了先进的芯片技术，显著降低了导通压降和开关损耗，从而提高了整体系统效率。此外，模块的封装设计优化了热管理，提供了良好的散热性能，确保在高温环境下仍能正常工作。其工作温度范围为-40°C至+150°C，适应性强，适合各种苛刻环境。
SKM195GAL126D 还具备良好的绝缘性能，符合UL 94 V-0标准，保证了模块在高电压环境下的安全性。模块的封装形式为双列直插式（DIP），便于安装和维护，适用于多种电路板布局。
SKM195GAL126D IGBT模块广泛应用于多个高功率电子领域，包括但不限于工业电机驱动、电动汽车（如逆变器）、可再生能源系统（如太阳能逆变器和风力发电变流器）、轨道交通设备以及电力储能系统。由于其高可靠性、低损耗和良好的热管理能力，该模块非常适合用于需要高效能和稳定性的高功率转换设备。
SKM200GAL126D, SKM150GB126D, SKM195GB126D
