SKM195GAL123DN 是富士电机(Fuji Electric)生产的一款IGBT模块,广泛应用于工业电力电子设备中。该模块集成了IGBT芯片和反并联二极管,具有较高的功率密度和可靠性,适用于变频器、伺服驱动器、UPS系统等高要求的应用场景。SKM195GAL123DN 采用双管(Dual)结构,支持半桥配置,具备良好的热性能和电气性能。
最大集电极-发射极电压 Vce_max:1200V
最大集电极电流 Ic_max:195A
额定工作温度 Tj:-40°C 至 +150°C
短路耐受能力:10μs @ Vce=1200V
导通压降 Vce_sat:约2.1V @ Ic=195A
反并联二极管额定电流 If_max:195A
封装形式:Mini-SKiiP(双列直插式)
绝缘等级:加强绝缘
安装方式:螺钉固定
热阻 Rth:约0.25K/W(模块内部)
SKM195GAL123DN 具备多项高性能特性。首先,其1200V的耐压能力使其适用于中高压功率变换系统,如光伏逆变器和电机驱动器。其次,该模块的195A额定电流能力支持高功率输出,同时具备良好的过载和短路保护能力,提升了系统的可靠性。
该模块采用富士电机独有的IGBT4芯片技术,优化了导通损耗和开关损耗之间的平衡,从而降低了整体功耗,提高了系统效率。此外,内置的反并联二极管采用快速恢复技术,减少了反向恢复损耗,提升了模块在高频开关应用中的性能。
在结构设计方面,SKM195GAL123DN 采用Mini-SKiiP封装,具有紧凑的外形尺寸和良好的散热性能,适合在空间受限的应用中使用。该模块还具备加强绝缘能力,符合IEC60664-1标准,适用于高海拔和高污染环境。
此外,该模块具有良好的热循环稳定性和机械强度,能够适应复杂的运行环境,确保长期稳定运行。其螺钉安装方式便于现场维护和更换,提高了系统的可维护性。
SKM195GAL123DN 广泛应用于多种电力电子设备中。典型应用包括工业变频器、伺服驱动器、电焊机、UPS不间断电源、光伏逆变器和储能系统等。由于其高可靠性和优异的电气性能,该模块也适用于需要高效率和高稳定性的新能源汽车充电设备、智能电网设备和电机控制系统等领域。
SKM200GB12T4V1、SKM150GB12T4、SKM150GAL123DR