时间：2025/8/23 7:18:46
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SKM150GAL125D 是一款由 SEMIKRON（西门康）制造的 IGBT 模块，广泛用于高功率应用。该模块集成了 IGBT（绝缘栅双极晶体管）和反向并联二极管，采用双管（Half Bridge）结构，适用于变频器、电机驱动、逆变器等工业和电力电子系统。
制造商: SEMIKRON
器件类型: IGBT 模块
结构类型: Half Bridge（半桥）
最大集电极电流（IC）: 150 A
最大集电极-发射极电压（VCES）: 1200 V
导通压降（VCEsat）: 典型值 2.1 V（在 IC=150 A 时）
工作温度范围: -40°C 至 +150°C
封装类型: SKiiP（带绝缘底板）
安装方式: 螺丝安装
热阻（Rth）: 结至壳热阻约 0.26 K/W
认证: 符合 RoHS 标准
SKM150GAL125D 是一款高性能的 IGBT 模块，其核心特性包括高电流承载能力、低导通压降和优异的热稳定性。该模块采用先进的沟槽栅极 IGBT 技术，显著降低了开关损耗和导通损耗，从而提高了整体系统效率。模块内部集成了快速恢复二极管，具有较低的反向恢复损耗，适用于高频开关应用。
该模块的封装设计考虑了散热和电气绝缘的优化，采用绝缘底板设计，使得安装简便且具备良好的热传导性能。此外，模块支持螺钉安装方式，增强了机械稳定性和安装灵活性。
在可靠性方面，SKM150GAL125D 经过严格测试，能够在 -40°C 至 +150°C 的宽温度范围内稳定运行。模块符合 RoHS 环保标准，适用于各种工业环境下的高可靠性要求。
电气性能方面，模块的最大集电极-发射极电压为 1200 V，最大集电极电流可达 150 A，适用于多种中高功率应用。导通压降典型值为 2.1 V，确保了低功耗和高效能的表现。
SKM150GAL125D 广泛应用于工业电力电子系统，如变频器、伺服驱动器、电机控制、UPS（不间断电源）、太阳能逆变器和电动汽车充电系统。由于其高功率密度和优异的热管理能力，该模块特别适合于需要高效能和高可靠性的应用场合。此外，模块的高性能特性也使其适用于焊接设备、电能质量调节装置和工业自动化控制系统。
SKM150GB125D, SKM150GB12T4, SKM150GHB125D
