SKM111AR 时间：2025/8/23 19:26:23 阅读：13

SKM111AR 是一款由东芝（Toshiba）生产的功率MOSFET晶体管，广泛用于开关电源、DC-DC转换器和电机控制等高功率应用中。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压和快速开关特性。SKM111AR 封装形式为TO-247，便于散热和安装，适用于工业控制、电源管理和汽车电子系统等领域。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（ID）：110A
　　漏极-源极击穿电压（VDS）：100V
　　栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：最大8.5mΩ（在VGS=10V时）
　　功率耗散（PD）：300W
　　工作温度范围：-55°C至175°C

特性

SKM111AR 采用先进的沟槽结构设计，显著降低了导通电阻，从而减少了导通损耗，提高了效率。其低Rds(on)特性使其在高电流应用中表现出色，能够有效降低功耗并减少发热。
　　该MOSFET具备高耐压能力，VDS最大可达100V，适用于中高压功率转换系统。同时，它支持高达110A的漏极电流，满足大功率负载的需求。
　　SKM111AR 的开关速度快，具有较低的栅极电荷（Qg），这有助于减少开关过程中的能量损耗，提高整体系统效率。此外，其封装形式为TO-247，具有良好的散热性能，适用于高功率密度设计。
　　该器件还具有良好的热稳定性和可靠性，在高温环境下仍能保持稳定运行。内置的体二极管也具备快速恢复特性，适合用于同步整流和电机驱动等应用场景。

应用

SKM111AR 主要应用于各类高功率电子设备中，例如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、UPS不间断电源、逆变器、电机驱动器和工业自动化控制系统等。
　　在电源管理领域，SKM111AR 常用于构建高效能的同步整流电路，提升电源转换效率，降低温升。
　　在电机控制和汽车电子系统中，该MOSFET可用于H桥驱动电路，实现直流电机或步进电机的高效控制。
　　此外，该器件也适用于电池管理系统（BMS）和太阳能逆变器等新能源领域，为系统提供高可靠性和高效率的功率开关解决方案。