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SKM100GB12T4 发布时间 时间:2025/8/23 20:11:40 查看 阅读:29

SKM100GB12T4 是一款由富士电机(Fuji Electric)生产的IGBT模块,主要用于高功率电子设备中,例如工业电机驱动、逆变器和电力转换系统。该模块集成了IGBT芯片和反并联二极管,具备高可靠性和高效率的特点,适用于需要大电流和高电压的电力电子应用。

参数

额定集电极-发射极电压(Vce):1200V
  额定集电极电流(Ic):100A
  最大工作温度:150℃
  短路耐受能力:10μs
  封装类型:双列直插式(Dual)
  绝缘电压:2500Vrms
  热阻(Rth):0.36℃/W
  栅极驱动电压范围:+15V/-15V

特性

SKM100GB12T4 IGBT模块采用了先进的硅芯片技术,具有较低的导通压降和开关损耗,从而提高了整体效率并减少了热量产生。模块内部集成了高效的续流二极管,确保了在高频开关应用中的稳定性。此外,该模块具备良好的热管理和绝缘性能,能够在恶劣的工作环境下保持稳定运行。
  其封装设计符合行业标准,便于安装和散热管理,适合用于各种工业级应用。该模块还具备较强的短路保护能力,可在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏,提高了系统的安全性和可靠性。

应用

SKM100GB12T4广泛应用于工业变频器、伺服驱动器、UPS不间断电源、可再生能源系统(如太阳能逆变器)、电动汽车充电设备以及各种高功率电机控制设备中。由于其优异的电气特性和高可靠性,该模块特别适合用于需要高效率和高稳定性的电力电子系统。

替代型号

SKM100GB12T4-A, SKM100GB128D, SKM75GB12T4

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SKM100GB12T4参数

  • 安装类型螺丝
  • 宽度34mm
  • 封装类型GB
  • 尺寸94 x 34 x 30.1mm
  • 引脚数目7
  • 最低工作温度-40 °C
  • 最大栅极发射极电压±20V
  • 最大连续集电极电流160 A
  • 最大集电极-发射极电压1200 V
  • 最高工作温度+175 °C
  • 通道类型N
  • 配置
  • 长度94mm
  • 高度30.1mm