SKM100GAL128DN 是一款由富士电机(Fuji Electric)制造的IGBT模块,适用于高功率应用。该模块集成了多个IGBT芯片和反并联二极管,具有较高的电流和电压耐受能力,常用于工业电机驱动、电力变换和再生能源系统等领域。
类型:IGBT模块
最大集电极-发射极电压(VCES):1200V
最大集电极电流(IC):100A
工作温度范围:-40°C 至 +150°C
封装形式:双列直插式封装(DIP)
内部结构:包含6个IGBT单元和6个反并联二极管
短路耐受能力:具备短路保护能力
热阻(Rth):根据散热条件不同而变化
SKM100GAL128DN 以其高可靠性、低导通压降和良好的热性能著称。模块内部采用先进的封装技术,确保了良好的散热能力和机械稳定性。此外,该模块具备较强的短路耐受能力,能够在极端工况下保持稳定运行。其设计符合工业级标准,适应多种工作环境,并具有较长的使用寿命。
在电气特性方面,SKM100GAL128DN 的IGBT单元具有较低的开关损耗和导通损耗,有助于提高系统的整体效率。模块的封装设计也优化了电磁兼容性(EMC),减少了高频噪声的干扰。此外,其内部二极管具有快速恢复特性,适用于高频率开关应用。
该模块还支持模块化设计,便于在多种应用中进行集成和替换。其封装结构便于安装散热器,进一步提高散热效率。SKM100GAL128DN 的制造工艺严格遵循国际质量标准,确保其在恶劣环境下的稳定性和可靠性。
SKM100GAL128DN 广泛应用于变频器、电机驱动器、电力转换系统、可再生能源设备(如风力发电和太阳能逆变器)、电动汽车充电设备以及工业自动化系统中。其高耐压和大电流能力使其特别适合需要高功率密度和高效能的场合。
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