类型：IGBT模块
　　配置：Dual（双管）
　　最大集电极电流（IC）：160A
　　最大集电极-发射极电压（VCES）：1200V
　　导通压降（VCEsat）：约2.1V（典型值）
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　封装形式：SKiN封装（无引线压接技术）
　　热阻（RthJC）：约0.19 K/W
　　短路耐受能力：支持
　　绝缘等级：符合UL标准，工作绝缘电压1200V

SKKL161/12E 模块采用了Semikron先进的SKiN封装技术，这是一种无引线压接结构，通过双面散热设计显著降低热阻，提高模块的热循环寿命。这种结构也减少了寄生电感，提升了开关性能，降低了电磁干扰（EMI）。
　　该模块内部集成两个IGBT单元和对应的续流二极管，适用于半桥拓扑结构。其高耐压能力（1200V）和大电流承载能力（160A）使其非常适合用于高性能变频器、伺服驱动器以及电动汽车的逆变器系统中。
　　此外，SKKL161/12E 具有优异的短路耐受能力，能够在极端负载条件下提供更高的系统可靠性。模块采用工业级封装，具有良好的机械稳定性和抗震动能力，适用于各种严苛的工作环境。
　　由于其模块化设计，SKKL161/12E 便于安装和维护，并支持并联使用以扩展功率能力。模块还具备良好的热管理性能，可以与散热器高效接触，确保长时间运行的稳定性。

SKKL161/12E 主要应用于中高功率电力电子系统，包括工业伺服驱动器、通用变频器、光伏逆变器、电动汽车电驱系统、储能系统以及不间断电源（UPS）等。其高功率密度和高可靠性使其成为现代高效能电力电子设备中的关键元件。该模块特别适合需要高效率、高集成度和高可靠性的应用场景。

SKM150GB12T4, SKM150GB12T4V1