类型：IGBT模块
　　结构：双单元（Dual）
　　集电极-发射极电压（Vce）：1200V
　　额定集电极电流（Ic）：160A
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　封装类型：标准功率模块封装（如EasyPIM或类似）
　　短路耐受能力：具备一定的短路保护能力
　　导通压降（Vce_sat）：典型值约为2.55V
　　热阻（Rth）：根据散热设计不同而变化
　　封装尺寸：依据具体封装形式提供详细尺寸数据

SKKH162/12(16)E 模块具有多项先进的设计特性，确保其在复杂工况下的稳定运行。首先，该模块采用先进的IGBT芯片技术，具备低导通压降和低开关损耗的双重优势，从而在提高系统效率的同时减少发热。其优化的内部结构设计减少了电磁干扰（EMI），提升了模块在高频开关应用中的性能表现。
　　该模块的封装结构采用了高耐热材料，具备优异的热管理和散热能力，适用于高功率密度的应用场景。此外，模块内部的双单元结构设计使其能够实现灵活的拓扑配置，如半桥、H桥或双斩波电路等，适用于多种电力电子系统架构。
　　在可靠性和安全性方面，SKKH162/12(16)E 通过了严格的工业级测试，具备高绝缘等级和良好的短路耐受能力。模块内部的封装工艺确保其在高温、高湿和振动环境下的稳定运行，满足工业设备对长期运行可靠性的严苛要求。

SKKH162/12(16)E 主要应用于需要高功率、高效率和高可靠性的电力电子系统中。典型应用包括工业变频器、伺服驱动器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电动汽车充电设备以及各种类型的电机控制和功率调节装置。其紧凑的封装结构和优异的热管理性能也使其适用于空间受限但要求高性能的设计场景，如自动化设备和工业机器人驱动系统。

SKM150GB12T4、FGA25N120D、FF200R12KE3、SKKH162/12E