类型：双管IGBT模块
　　额定集电极电流（IC）：131A
　　额定集电极-发射极电压（VCES）：1200V
　　封装形式：SemiKron标准模块封装
　　工作温度范围：-40°C至+150°C
　　导通压降：约2.1V（典型值）
　　开关损耗：典型值根据工作条件不同而变化
　　热阻（Rth）：依据散热条件不同而变化

SKKH131-12E(D) 模块具备优异的电气和热性能，采用先进的IGBT芯片技术，降低了导通压降和开关损耗，提高了系统的整体效率。
　　其双管结构设计使得该模块在半桥、全桥等拓扑结构中具有良好的应用灵活性，适用于多种功率转换电路。
　　该模块的封装设计考虑了散热性能，确保在高功率密度应用中保持稳定的工作温度，并提高了模块的使用寿命。
　　此外，SKKH131-12E(D) 具有良好的短路耐受能力和过载保护性能，增强了系统的可靠性和安全性。
　　模块的引脚和内部连接结构经过优化设计，减少了寄生电感，有助于降低开关过程中的电压尖峰，提高系统的稳定性。
　　模块的制造符合RoHS环保标准，适用于现代绿色电子设备的设计需求。

SKKH131-12E(D) 主要用于工业电机驱动器、变频器、UPS不间断电源、太阳能逆变器、电焊机、感应加热设备等电力电子系统中。
　　由于其高功率密度和良好的热管理能力，该模块特别适用于需要高效能、高可靠性的应用场合。
　　例如，在变频器中，SKKH131-12E(D) 可用于实现电机的精确控制和高效能运行；在太阳能逆变器中，它可以将太阳能电池板的直流电转换为交流电，并实现高效的并网发电。
　　同时，该模块也可用于电动汽车充电设备、工业自动化设备和智能电网系统等新兴领域，满足高功率、高效率、高可靠性的设计需求。
　　其良好的封装设计和热管理能力也使其适用于高温、高湿等恶劣工作环境，确保设备的稳定运行。

SKM100GB12T4, FF150R12RT4, FS150R12W1T4_B11