SKKD50E01E 时间：2025/8/23 8:31:57 阅读：17

SKKD50E01E是一款由东芝（Toshiba）生产的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）模块，专为高功率应用设计。该模块集成了IGBT芯片和反并联二极管，适用于需要高效能和高可靠性的工业设备，如变频器、电机驱动器和不间断电源（UPS）系统。

参数

类型：IGBT模块
　　额定集电极-发射极电压（VCES）：1200V
　　额定集电极电流（IC）：50A
　　导通压降（VCE_sat）：约2.1V（典型值）
　　反向恢复时间（trr）：约200ns
　　工作温度范围：-40°C至+150°C
　　封装形式：双列直插式（DIP）
　　绝缘等级：符合UL认证

特性

SKKD50E01E具备多项优异特性，包括高电流承载能力和低导通压降，这使其在高功率密度设计中表现出色。其优化的芯片结构确保了低开关损耗，从而提高了整体系统效率。此外，该模块具有良好的热性能，能够在恶劣的工作条件下保持稳定运行。
　　该模块集成了反并联二极管，减少了外部元件的需求，从而简化了电路设计并提升了整体可靠性。SKKD50E01E还具有优异的短路耐受能力，使其在高负载波动的应用中具备更高的安全裕度。模块的封装结构确保了良好的电气绝缘性能，适用于需要高安全标准的工业控制系统。
　　在制造工艺方面，SKKD50E01E采用了先进的封装技术，确保了模块在高湿度和高温环境下的长期可靠性。其设计符合RoHS环保标准，支持绿色电子产品的开发。