类型：IGBT 模块
　　集电极-发射极电压（VCES）：1200V
　　额定集电极电流（IC）：400A
　　短路耐受能力：600A（最大）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：双列直插式封装（DIP）
　　导通压降（VCEsat）：约 2.1V（典型值）
　　开关损耗（Eon/Eoff）：分别约为 2.5mJ 和 4.0mJ（典型值）
　　热阻（Rth）：约 0.25°C/W（模块到散热器）
　　绝缘等级：符合 IEC 60068-1 标准

SKIM400GD128DM 模块具有多项优异的电气和热性能特性。首先，它采用了先进的沟道 IGBT 技术，具有低导通压降和低开关损耗，有助于提高系统的整体效率并减少能量损耗。其次，该模块的封装设计具有良好的热传导性能，能够有效地将热量传递到外部散热器，从而确保模块在高负载条件下的稳定性。此外，模块内部集成的续流二极管（FWD）具备快速恢复特性，能够在高频率开关操作中保持稳定性能。模块还具备较高的短路耐受能力，可以在突发短路情况下提供一定的保护，防止器件损坏。此外，该模块的封装材料和结构符合 RoHS 环保标准，适用于现代绿色电子设备设计。

SKIM400GD128DM 广泛应用于各种高功率电力电子系统中，包括工业电机驱动（如变频器和伺服驱动器）、可再生能源系统（如太阳能逆变器和风能转换系统）、电动汽车充电设备、储能系统以及电能质量调节设备（如无功补偿器和有源滤波器）。此外，该模块也可用于高功率直流-交流（DC-AC）和交流-直流（AC-DC）转换器中，作为核心功率开关器件。在这些应用中，SKIM400GD128DM 能够提供高效的能量转换、稳定的性能以及良好的热管理，从而提高系统的整体可靠性和效率。

SKM400GB128D