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SKIM304GD12T4D 发布时间 时间:2025/8/23 16:59:38 查看 阅读:9

SKIM304GD12T4D 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)推出的功率模块,属于IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块系列。该模块专为高性能电机控制、逆变器应用及工业电源转换系统而设计。SKIM304GD12T4D采用了先进的IGBT技术,具备高效率、低导通压降和良好的热稳定性,适用于如变频器、UPS(不间断电源)、可再生能源系统以及电能质量控制设备等场景。该模块的封装形式为SKiM?(Sturdy Kinetic Mounting)系列,是一种模块化、可扩展的功率封装解决方案,支持并联使用,提高了系统的灵活性和可靠性。

参数

类型:IGBT模块
  额定集电极-发射极电压(Vce):1200V
  额定集电极电流(Ic):300A
  短路电流能力:600A
  工作温度范围:-40°C 至 +150°C
  封装类型:SKiM? 4GD
  IGBT芯片技术:沟道型 IGBT4
  二极管配置:快速恢复二极管(FRED)
  最大工作频率:30kHz(典型)
  隔离电压:3300Vrms
  热阻(Rth):约0.25K/W(模块与散热器之间)

特性

SKIM304GD12T4D 功率模块具备多项先进特性,首先,其采用了第四代IGBT芯片技术(IGBT4),具有较低的导通压降和开关损耗,从而提高了整体系统效率。其次,该模块内置快速恢复二极管(FRED),在高频工作条件下表现出优异的反向恢复特性,减少了能量损耗和电磁干扰(EMI)。
  该模块采用SKiM?封装技术,具备优异的机械稳定性和热管理能力,适用于高振动和高温度环境。其模块内部采用压接式连接技术,无需焊接,提高了长期运行的可靠性,并支持快速更换和维护。
  SKIM304GD12T4D 还具备良好的并联能力,多个模块可以并联使用,以满足更高功率等级的需求。此外,该模块具有较高的短路耐受能力(可达10μs),可在异常工作条件下提供更好的保护性能,增强了系统的鲁棒性。
  模块的封装设计符合国际标准(如IEC 60176),并具备高隔离电压(3300Vrms),适合用于中高电压等级的工业和能源系统。其结构紧凑,安装灵活,可适应多种冷却方式,如风冷、水冷或热沉传导冷却。

应用

SKIM304GD12T4D 主要应用于中高功率的电力电子系统,例如工业变频器、伺服驱动器、不间断电源(UPS)、储能系统、光伏逆变器、风力发电变流器、电能质量调节设备(如SVG、DSTATCOM)以及电动汽车充电系统等。
  由于其出色的性能和可靠性,该模块也非常适合用于需要高可靠性和长寿命的轨道交通系统、智能电网设备以及自动化控制系统。在电机控制领域,SKIM304GD12T4D 可用于高性能三相逆变器拓扑结构,实现高效的能量转换和精确的电机控制。

替代型号

SKIM305GD12T4D、SKIM400GD12T4D、FS300R12W1T4_B11、FF450R12ME4_B11

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