类型：IGBT模块
　　拓扑结构：三相桥式（Full Bridge）
　　额定集电极电流（IC）：35A
　　额定电压（VCES）：1200V
　　芯片技术：IGBT4
　　封装类型：SKiiP（无引脚、双面散热）
　　工作温度范围：-40°C至+150°C
　　短路耐受能力：6倍额定电流，10μs
　　热阻（Rth）：约0.35 K/W（结到外壳）
　　绝缘等级：加强绝缘，符合IEC 60664-1标准
　　安装方式：螺钉安装
　　

SKIIP35TMLI12F4V2采用了SEMIKRON专利的SKiiP封装技术，具有极高的功率密度和出色的散热性能。其无引脚结构和双面散热设计显著降低了模块的热阻，提高了系统的可靠性。
　　该模块内置IGBT4芯片，具备低导通压降和开关损耗的特点，有助于提高整体能效。同时，其优化的内部布局设计降低了寄生电感，提升了模块在高频开关条件下的稳定性。
　　模块支持多种冷却方式，包括风冷和水冷，适用于不同的应用环境。此外，该模块具有良好的短路保护能力和过载能力，可在恶劣工况下保持稳定运行。
　　在绝缘性能方面，SKIIP35TMLI12F4V2采用了加强绝缘设计，符合IEC 60664-1标准，确保了模块在高压环境下的安全性和可靠性。其模块化设计也便于维护和更换，降低了系统停机时间和维护成本。
　　另外，该模块支持并联使用，便于构建更高功率等级的系统，满足工业和能源应用中对大功率变换系统的需求。

该模块广泛应用于中高功率变频器、伺服驱动器、光伏逆变器、储能系统、电动汽车充电设备、UPS不间断电源、电能质量调节设备（如有源滤波器）以及工业自动化控制系统等场景。由于其优异的性能和可靠性，也常用于需要高效率和高稳定性的轨道交通和智能电网系统中。

SKM35GB12T4V1, FS35R12W1T4_B35, FF35R12W1T4_B35