类型：IGBT模块
　　额定集电极电流（IC）：292 A
　　额定集电极-发射极电压（VCES）：1700 V
　　封装类型：双列直插式（Dual）
　　导通压降（VCE_sat）：约2.1 V（典型值）
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　热阻（Rth）：0.13 K/W（典型值）
　　短路耐受能力：50 A, 10 μs
　　最大工作频率：30 kHz
　　隔离电压：4000 Vrms
　　重量：约400克

SKIIP292GD170-3DU模块采用了先进的IGBT芯片技术，具有低导通压降和低开关损耗的特点，从而提高了整体系统效率。该模块的封装设计优化了热管理和电气绝缘性能，确保在高功率密度应用中的可靠性。模块内部集成了多个IGBT芯片和反并联二极管，提供更高的电流承载能力和冗余设计。此外，模块的封装结构具有良好的机械强度，能够承受较大的机械应力和热循环应力。
　　该模块还具有优异的短路耐受能力，能够在短时间内承受较大的短路电流而不损坏。其低热阻特性使得模块在高负载条件下仍能保持较低的工作温度，延长了模块的使用寿命。模块的封装材料符合UL94 V-0标准，提供了良好的阻燃性能，确保在高温和高湿度环境下的稳定运行。
　　为了提高系统的可靠性和维护性，模块的设计支持快速更换和安装。模块的电气连接采用了高可靠性的端子设计，确保在高电流和高振动环境下的稳定连接。模块还内置了温度传感器，可用于实时监测模块的工作温度，防止过热损坏。

该模块广泛应用于工业电机控制、变频器、伺服驱动器、电力电子变压器、可再生能源系统（如风力发电和太阳能逆变器）、电动汽车充电设备、轨道交通牵引系统等高功率场合。在这些应用中，模块能够提供高效的功率转换能力，并确保系统的稳定运行。

SKM300GB176D, FS250R17KE3