SKIIP22NAB121T2是一款由赛米控(SEMIKRON)推出的高性能双管IGBT模块,广泛用于需要高可靠性和高效率的电力电子应用中。该模块集成了两个IGBT单元,适用于三相逆变器拓扑结构,常用于工业电机驱动、可再生能源系统和电动汽车等领域。
类型:IGBT模块
拓扑结构:双管(Dual)
额定集电极电流(IC):22A
额定集电极-发射极电压(VCES):1200V
短路耐受能力:6μs
封装类型:SEMITOP
工作温度范围:-40°C 至 +150°C
热阻(Rth):典型值2.5 K/W
封装材料:符合RoHS标准
SKIIP22NAB121T2模块具备出色的电气和热性能。其双管结构允许在半桥配置中灵活使用,提高了系统的模块化和可扩展性。高耐压能力和高电流容量使得该模块能够承受严苛的工作条件,同时保持稳定的工作性能。模块内部采用先进的芯片技术,提供较低的导通和开关损耗,从而提升整体系统效率。此外,该模块具有良好的绝缘性能和机械强度,确保在高振动和高温环境下仍能稳定运行。
该模块广泛应用于工业变频器、伺服驱动器、太阳能逆变器、电动汽车充电系统以及电机控制设备等场景。其高可靠性和高效率特性使其成为许多高性能电力电子系统的关键组成部分。
SKM22GB12T4、FS25R12KT4_B11、STY22N120D2AG